Mae IGBT (Transistor Deubegynol Gate Insulated), wedi'i gyfansoddi gan MOS (transistor effaith cae giât wedi'i inswleiddio) a BJT (transistor deubegwn). Mae'n ddyfais lled-ddargludyddion pŵer sy'n cael ei yrru gan foltedd. Gall IGBT fod yn un ddyfais arwahanol neu fodiwl, pob math gyda'i ystod ei hun o gymwysiadau. Mewn diwydiant, fe'i defnyddir mewn rheoli traffig, trosi pŵer, moduron diwydiannol, cyflenwad pŵer di-dor UPS, pŵer tyrbin gwynt ac offer ynni solar, trawsnewidydd amlder, ac ati Mewn electroneg defnyddwyr, fe'i defnyddir mewn offer cartref, pentyrrau gwefru, cerbydau trydan , offer pŵer, ac ati.