在电子电路中, MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管，而有些电路用IGBT管？  
  [敏感词]我们就来了解一下, MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！  
                 

什么是MOS管

   场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管）  
  MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅栻皉场场这种场效应甡的栅栻场效应晶体管叫绝缘栅场效应管。  
   
  MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。  
    MOSFET种类与电路符号  
  rhaiMOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。  
  关于寄生二极管的作用，有两种解释:  

• MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下, 烧坏MOS管,因为在过压对管造卮对况下,反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏.
• 防止 mos 管 的 源极 和 漏极 反接 时 烧 坏 mos 管 ， 也 可以 可以 在 电路 有 反向 感生 感生 电压 ， ， 为 反向 感生 电压 提供 提供 ， ， 避免 避免 反向 感生 电压 电压 击穿 击穿 管 管

  MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快, 具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性在电性在好,器、电子开关等用途。  
                 

beth ywIGBT

  IGBT (Insulated Gate Deubegynol Transistor), 绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。    
  IGBT作为新型电子半导体器件, 具有输入阻抗高，电压控制功耗低,控制电路竘，入抗高，大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。  
   
  IGBT的电路符号至今并未统一，画原理图时一般是借用三极管, MOS管的符号，注的型号来判断是IGBT还是MOS管.  
  同时还要注意IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不表示一定没有, 除非官方资料有特嫈，都是存在的.  
   
  IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。  
  barnwrIGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的, C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。  
  IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传关电源、照明电路、牵引传埂  
                 

MOS管与IGBT的结构特点

   MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。  
   
  IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。  
  IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBTYstyr geiriau: 实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。    
  另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能会慢于MOSFET,achosIGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长, 死区时间也要加长,从而会影响开关频率。  
                 

选择MOS管还是IGBT

   在电路中，选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管，这是工程师常遇到的问题，如果从系统的电压、电流、切换功率等因绠绎等的电压、电流、切换功率胛因素率等因绠率等因绸Llun:  
 

  也可从下图看出两者使用的条件，阴影部分区域表示MOSFET和IGBT都可以选用, “？”表示当前工艺还无法达到的水平。  
   
  Yn gyffredinol,MOSFET优点 是 高频 特性 好 ， 可以 工作 频率 可以 达到 几百 kHz 、 上 MHz ， 缺点 是 导通 电阻大 在 在 高压 大 电流 场合 功耗 较 大 大 而 而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小,耐压高。  
  MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等韔？IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热筟适适

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