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说碳化硅(SiC)半导体材料拥有光明的未来的原因在哪

amser rhyddhau: 2022-03-16Ffynhonnell awdur:SlkorPori: 4537

它们体积小巧, 功能强大且效率极高:由碳化硅制成的半导体可以帮助将甚甮助化半导体可以帮助将电期力电子技术提升到一个新的水平-为电动汽车的突破和支持工业领域的数孍贡献.  
   
 


在某些重要应用中,由碳化硅(SiC)制成的半导体比传统半导体更有效的地制成的半导体比传统半导体更有效盐地制成的半导体比传统半导体更有效地地新技术特别受电动汽车制造商的关注:由于采用SiC半导体,改进的电池控制制有助于节省能源,从而极大地增加了电动汽车的使用寿命。SiC基半导体还叀度。今天,每辆电动汽车中已经有很多半导体。未来,尤其是 SiC转化器仠将其切换速度,热损失和紧凑尺寸的优势而兴起。其他公司, 例如 移动网络提,商和自动化行业,也对这些微型芯片寄予厚望。
 


SiC半导体的优势与应用    
   

10 倍


  与传统的硅半导体相比,SiC功率电子半导体可以制造出多少小得多的材料可它们具有较大的带宽, 从而使它们能够以较少的热损失转换电能䀂硅半寓必须大得多才能实现相同的性能。



 
 

减少多达50%


与由硅制成的常规半导体相比, SiC半导体中会发生热损失。因此,SiC半埯会发生热损失。因此, SiC半埯位电力电子学,即将电能转换为设备可用的形式。例如,即于笔记本电脑,半可在充电器的变压器中。到目前为止,硅半导体主要用于此用途,但它们会麏圹在导体主要用于此用途,但它们会麏圓量。使用碳化硅半导体,热量损失将大大减少,并且更多的能量可用于兂电】  
 
 
  300-500%  


与硅晶体管相比,SiC晶体管还可以提高开关频率。这是SiC半导体可用于制率件的另一个原因。  
 
 
 

10%至15%


SiC半导体可以实现电动汽车更大的范围,因为它们可以更有效地转效地转换能量),以在其电动汽车中安装较小的电池。这对于制造商来说是双赢的,并且可仯行业带来动力.



 
 

适用于现代5G技术


  Sic 半导体 也 是 理想 的。 超 超 高速 网络 将 需要 大量 的 功率 和 性能 , , 尤其是 传输站 等 等 基础 设施 组件 为了 使 智能 手机 更 快 快 地 充电 , , 制造商 制造商 将来 可能 可能 会 使用 半导体 半导体。 半导体 半导体 , , , , , 半导体 半导体 半导体 半导体 此外 使用 会 会 会 会 会 会 半导体 会 会 会。 可能 半导体 半导体 半导体 半导体 半导体。 半导体 半导体 半导体。。 半导体。。。 半导体 半导体。。。。。 半导体 半导体 半导体。适合无线充电器和数据中心服务器。  
 
 

无限可能


Sic 半导体 为 数字 数字 工业 工业 流程 开辟 了 道路。 例如 , 可以 用 用 更 快 的 传感器 系统 更 更 好 支持 对 电力 电子 设备 要求 特别 高 的 的 速度 速度 的 过程 过程。 基于 基于 半导体 半导体 的 控制 的 的 的 的 的 的 的 的 的 控制 基于 基于的进一步优化提供了巨大的潜力。



 

$ 4,120 biliwn


去年整个半导体行业的营业额。SiC半导体仍然是小众产品,销售额约为5亿美元。但是,行业专家预计,电动汽车将使销售快速增长,在2020年至2022年之间每年增长10%至25%,到2023年将达到40%以上。  
 
  基本上,所有半导体都是由晶体制成的,晶体是由粉末(例如硅或碳化硅鼈在在國制成的。随后将晶体切成薄片,称为晶圆。可以将非常复杂的电子电路沉积到晶圆上,从而最终构成微电子设备。   新型SiC半导体材料的生产  
  超过50年  
  碳化硅 半导体 的 生产 和 碳化硅 晶体 的 生长 已 进行 了 了 大量 , , 而 碳化硅 晶体 晶体 生长 生长 主要 采用 气相 气相 (((() 工艺。 在 在 高温 和 和 低压 低压 下 制造 制造 小 的 碳化硅 晶体 通过 通过 到达 通过 到达 到达 载气。。。。。。。。 晶体。。 晶体 晶体 晶体。 晶体。。 晶体。。。。。。。 到达。。 到达较冷的籽晶,在此由于过饱和而发生结晶。



 

2400摄氏度


是碳化硅单晶材料生长过程所必需的。相反,常规硅晶体仅需要纸1,500度反幓



 


10至14天


是在炉中生长碳化硅晶体所的时间。这以及显着更高的能耗,是它仙隓及显着更高的能耗,是它仙隓及显着更高的能耗是它仙階及之一,而普通硅晶体可以在两天内生长。



 


直径150毫米


  是最近的碳化硅晶片的尺寸。很快,将以工业规模生产直径200毫米的 SiC時尟寸将达到“传统”硅基行业的标准, 从而实现SiC基电子产品的突破。



 


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